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氧化鎵電阻率方阻測試儀

氧化鎵電阻率方阻測試儀:Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器

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  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-01-16
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氧化鎵電阻率方阻測試儀介紹:

氧化鎵是一種無機化合物,化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器,

Ga2O3有五種同分異構體:α,β,γ,δ,ε,其中是β-異構體,當加熱至1000℃以上或水熱條件(即濕法)加熱至300℃以上時,所有其他的異構體都被轉換為β-異構體??刹捎酶髯圆煌姆椒ㄖ频酶鞣N純的異構體。

把金屬鎵在空氣中加熱至420~440℃;焙燒硝酸鹽使之分解或加熱氫氧化鎵至500℃等都可制得α-Ga2O3。

快速加熱氫氧化物凝膠至400~500℃可值得γ-Ga2O3,γ-Ga2O3具有缺陷的尖晶石結構。

在250℃加熱硝酸鎵然后在約200℃浸潰12小時,可制得δ-Ga2O3,它類似于In2O3、Tl2O3、Mn2O3和Ln2O3的C-結構。

在550℃短暫加熱(約30分鐘)δ-Ga2O3可制得ε-Ga2O3。

將硝酸鹽、醋酸鹽、草酸鹽或其他鎵的化合物以及Ga2O3的任意其他異構體加熱至1000℃以上均可分解或轉化為β-Ga2O3。

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